- AutorIn
- Masayuki Yoshida
- Satoru Matsumoto
- Shuji Tanaka
- Titel
- Application of Watkins’ model of phosphorus- and arsenic-vacancy pairs to the interstitialcy-diffusion of phosphorus and arsenic in silicon
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-185496
- Quellenangabe
- Diffusion fundamentals - 16
- Quellenangabe
- Diffusion fundamentals 16 (2011) 62, S. 1-2
- Erstveröffentlichung
- 2011
- Freie Schlagwörter (DE)
- Diffusion, Transport
- Freie Schlagwörter (EN)
- diffusion, transport
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Herausgeber (Institution)
- Yoshida Semiconductor Laboratory
- Keio University
- Universität Leipzig
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-185496
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 28.10.2015
- Dokumenttyp
- Artikel
- Sprache des Dokumentes
- Englisch