- AutorIn
- Masayuki Yoshida
- Masami Morooka
- Shuji Tanaka
- Manabu Takahashi
- Titel
- Formation mechanism of plateau, rapid fall and tail in phosphorus diffusion profile in silicon based on the pair diffusion models of vacancy mechanism and interstitial mechanism
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-196177
- Quellenangabe
- Diffusion fundamentals - 2
- Quellenangabe
- Diffusion fundamentals 2 (2005) 62, S. 1-2
- Erstveröffentlichung
- 2005
- Freie Schlagwörter (DE)
- Diffusion, Transport
- Freie Schlagwörter (EN)
- diffusion, transport
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Herausgeber (Institution)
- Yoshida Semiconductor Laboratory
- Universität Leipzig
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:15-qucosa-196177
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 26.01.2016
- Dokumenttyp
- Artikel
- Sprache des Dokumentes
- Englisch