- AutorIn
- Anna Reinhardt
- Titel
- Amorphes Zinkoxinitrid
- Untertitel
- Untesuchung einer vielversprechenden Alternative zu amorphen Oxidhalbleitern
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa2-209379
- Datum der Einreichung
- 16.08.2017
- Datum der Verteidigung
- 17.01.2018
- Abstract (DE)
- Die vorliegende Dissertation befasst sich mit der Herstellung und Charakterisierung von amorphen Zinkoxinitrid (a-ZnON)-Dünnschichten und darauf basierten aktiven Bauelementen. Im ersten Ergebnisteil wird der Einfluss ausgewählter Prozesspa- rameter der verwendeten Magnetron-Sputteranlage im Hinblick auf die chemische Zusammensetzung und den daraus resultierenden strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften der hergestellten Dünnschichten untersucht. Für die Analyse des elektronischen Transportmechanismus in a-ZnON-Dünnschichten werden zudem temperaturabhängige Hall-Effekt-Messungen ausgewertet. Außerdem werden Ausheiz- und Alterungseffekte sowie die Langzeitstabilität und Reproduzierbarkeit der elektrischen Eigenschaften von bei Raumtemperatur abgeschiedenen a-ZnON-Dünnschichten betrachtet. Der zweite Ergebnisteil befasst sich mit der Realisierung von Feldeffekttransistoren (FETs) mit a-ZnON als Kanalmaterial. Dazu erfolgt zunächst die elektrische Charakterisierung von gleichrichtenden Schottky- und pn-Kontakten auf a-ZnON mittels (temperaturabhängigen) Strom-Spannungs-Messungen sowie Kapazitäts-Spannungs-Messungen. Zum Schluss wird die Machbarkeit von Metall-Halbleiter-FETs sowie Sperrschicht-FETs basierend auf optimiertem a-ZnON demonstriert.
- Freie Schlagwörter (DE)
- Halbleiter, amorph, Dioden, Feldeffekttransistor
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Den akademischen Grad verleihende / prüfende Institution
- Universität Leipzig, Leipzig
- Version / Begutachtungsstatus
- angenommene Version / Postprint / Autorenversion
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:15-qucosa2-209379
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 19.03.2018
- Dokumenttyp
- Dissertation
- Sprache des Dokumentes
- Deutsch