- AutorIn
- Friedrich-Leonhard Schein
- Markus Winter
- Tammo Böntgen
- Holger von Wenckstern
- Marius Grundmann
- Titel
- Highly rectifying p-ZnCo2O4/n-ZnO heterojunction diodes
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:15-qucosa2-311947
- Quellenangabe
- Applied Physics Letters Erscheinungsort: Melville
Verlag: American Institute of Physics
Erscheinungsjahr: 2014
Jahrgang: 104
Heft: 2
ISSN: 0003-6951
E-ISSN: 1077-3118
Artikelnummer: 022104 - Erstveröffentlichung
- 2014
- Abstract (EN)
- We present oxide bipolar heterojunction diodes consisting of p-type ZnCo2O4 and n-type ZnO fabricated by pulsed-laser deposition. Hole conduction of ZnCo2O4 (ZCO) was evaluated by Hall and Seebeck effect as well as scanning capacitance spectroscopy. Both, ZCO/ZnO and ZnO/ZCO type heterostructures, showed diode characteristics. For amorphous ZCO deposited at room temperature on epitaxial ZnO/Al2O3 thin films, we achieved current rectification ratios up to 2x1010, ideality factors around 2, and long-term stability.
- Andere Ausgabe
- Link zur Originalpublikation in Applied Physics Letters
Link: http://dx.doi.org/10.1063/1.4861648 - Freie Schlagwörter (EN)
- Capacitance, Semiconductors, Thin films, Rectification, Heterojunctions
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Verlag
- American Institute of Physics, Melville
- Publizierende Institution
- Universität Leipzig, Leipzig
- Version / Begutachtungsstatus
- publizierte Version / Verlagsversion
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:15-qucosa2-311947
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 10.08.2018
- Dokumenttyp
- Artikel
- Sprache des Dokumentes
- Englisch