Dependence of phosphorus gettering and hydrogen passivation efficacy on grain boundary type on multicrystalline silicon

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Datum
2013
Autor:innen
Reimann, Christian
Zschorsch, Markus
Meyer, Sylke
Kiessling, Frank
Riepe, Stefan
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Published
Erschienen in
Journal of Applied Physics. 2013, 114(24), 244902. ISSN 0021-8979. eISSN 1089-7550. Available under: doi: 10.1063/1.4856215
Zusammenfassung
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Fachgebiet (DDC)
530 Physik
Schlagwörter
Konferenz
Rezension
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Zitieren
ISO 690KARZEL, Philipp, Mirco ACKERMANN, Lukas GRÖNER, Christian REIMANN, Markus ZSCHORSCH, Sylke MEYER, Frank KIESSLING, Stefan RIEPE, Giso HAHN, 2013. Dependence of phosphorus gettering and hydrogen passivation efficacy on grain boundary type on multicrystalline silicon. In: Journal of Applied Physics. 2013, 114(24), 244902. ISSN 0021-8979. eISSN 1089-7550. Available under: doi: 10.1063/1.4856215
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