Entwicklung von GaInP/GaAs/Si-Mehrfachsolarzellen mittels Wafer-Bonding

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2014
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Development of GaInP/GaAs/Si Multi-Junction Solar Cells using Wafer-Bonding
Forschungsvorhaben
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Zeitschriftenheft
Publikationstyp
Dissertation
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Zusammenfassung

Dreifachsolarzellen bestehend aus III-V-Verbindungshalbleitern und Germanium erreichen heutzutage Wirkungsgrade über 40% unter konzentriertem Sonnenlicht. Sie bestehen aus mehreren übereinander gestapelten Teilzellen und können im Vergleich zu konventionellen Silicium-Solarzellen einen größeren Teil des Sonnenspektrums in elektrische Energie umwandeln.


Ziel dieser Dissertation ist es, eine GaAs-basierte Mehrfachsolarzelle zu entwickeln, bei der die Germanium-Unterzelle durch eine Silicium-Solarzelle ersetzt wird. Da Silicium im Vergleich zu Germanium deutlich besser verfügbar und kostengünstiger ist, stellt dieses Solarzellenkonzept eine vielversprechende Alternative zu der etablierten Ga0.50In0.50P/Ga0.99In0.01As/Ge-Dreifachsolarzelle dar.


Die Herausforderung in der Herstellung von Ga0.51In0.49P/GaAs/Si-Dreifachsolarzellen lag bisher in den unterschiedlichen Gitterkonstanten und thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Si und GaAs. Deshalb entstehen beim direkten Wachstum auf Silicium Kristalldefekte in den GaAs-Mittel- und Ga0.51In0.49P-Oberzellen, welche ihre Effizienzen reduzieren. Um solche Defekte zu verhindern, wird in dieser Arbeit ein neuer Ansatz verfolgt. Zunächst werden Ga0.51In0.49P/GaAs-Zweifachsolarzellen mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) gitterangepasst auf GaAs-Substraten abgeschieden und danach durch direktes Wafer-Bonding bei Temperaturen zwischen 20°C und 120°C mit separat hergestellten Si-Solarzellen verbunden.
Ein Schwerpunkt dieser Dissertation liegt deshalb auf der Entwicklung einer mechanisch stabilen, optisch transparenten und elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen Si und GaAs. Dafür wird das atomstrahlaktivierte Wafer-Bonding-Verfahren verwendet und optimiert. Es können Si/GaAs Wafer-Bonds ohne makroskopische Fehlstellen an der Grenzfläche hergestellt werden, die hohe Bondfestigkeiten besitzen. Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopaufnahmen von Si/GaAs Wafer-Bonds zeigen, dass eine 2 bis 3 nm dicke amorphe Schicht an der Grenzfläche existiert, welche durch die Akkumulation von Atomstrahl-induzierten Kristalldefekten entsteht. Elektrisch aktive Defekte, die während der Atomstrahlbehandlung entstehen, beeinträchtigen außerdem den Ladungsträgertransport über die Si/GaAs Bondgrenzfläche. Dieser Effekt wird anhand eines theoretischen Modells diskutiert und temperaturabhängige Strom-Spannungs-Kennlinien werden genutzt, um die Höhe der Potentialbarriere an der Si/GaAs Grenzfläche zu bestimmen. Durch die Reduktion der Defektdichte an der Grenzfläche und die Verwendung einer höher dotierten n-GaAs Bondschicht können schließlich erstmals Si/GaAs Wafer-Bonds mit linearer Strom-Spannungs-Kennlinie bei Raumtemperatur und einem niedrigen Grenzflächenwiderstand von ca. 3.6×10-3 Ωcm² realisiert werden.


Dieser optimierte atomstrahlaktivierte Wafer-Bonding-Prozess wird genutzt, um Ga0.51In0.49P/GaAs/Si-Dreifachsolarzellen herzustellen. Die Mehrfachsolarzellen erzielen bereits Wirkungsgrade von bis zu 25.6% unter einfacher und 30.2% unter 112-facher Sonnenkonzentration.

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Fachgebiet (DDC)
530 Physik
Schlagwörter
III-V auf Si, Wafer-Bonding
Konferenz
Rezension
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Zitieren
ISO 690ESSIG, Stephanie, 2014. Entwicklung von GaInP/GaAs/Si-Mehrfachsolarzellen mittels Wafer-Bonding [Dissertation]. Konstanz: University of Konstanz
BibTex
@phdthesis{Essig2014Entwi-27108,
  year={2014},
  title={Entwicklung von GaInP/GaAs/Si-Mehrfachsolarzellen mittels Wafer-Bonding},
  author={Essig, Stephanie},
  address={Konstanz},
  school={Universität Konstanz}
}
RDF
<rdf:RDF
    xmlns:dcterms="http://purl.org/dc/terms/"
    xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
    xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#"
    xmlns:bibo="http://purl.org/ontology/bibo/"
    xmlns:dspace="http://digital-repositories.org/ontologies/dspace/0.1.0#"
    xmlns:foaf="http://xmlns.com/foaf/0.1/"
    xmlns:void="http://rdfs.org/ns/void#"
    xmlns:xsd="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#" > 
  <rdf:Description rdf:about="https://kops.uni-konstanz.de/server/rdf/resource/123456789/27108">
    <dcterms:issued>2014</dcterms:issued>
    <dc:rights>terms-of-use</dc:rights>
    <void:sparqlEndpoint rdf:resource="http://localhost/fuseki/dspace/sparql"/>
    <dc:language>deu</dc:language>
    <dcterms:hasPart rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/bitstream/123456789/27108/1/Essig_271086.pdf"/>
    <dc:date rdf:datatype="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime">2014-03-19T09:53:43Z</dc:date>
    <foaf:homepage rdf:resource="http://localhost:8080/"/>
    <dcterms:available rdf:datatype="http://www.w3.org/2001/XMLSchema#dateTime">2014-03-19T09:53:43Z</dcterms:available>
    <dcterms:abstract xml:lang="deu">Dreifachsolarzellen bestehend aus III-V-Verbindungshalbleitern und Germanium erreichen heutzutage Wirkungsgrade über 40% unter konzentriertem Sonnenlicht. Sie bestehen aus mehreren übereinander gestapelten Teilzellen und können im Vergleich zu konventionellen Silicium-Solarzellen einen größeren Teil des Sonnenspektrums in elektrische Energie umwandeln.&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;Ziel dieser Dissertation ist es, eine GaAs-basierte Mehrfachsolarzelle zu entwickeln, bei der die Germanium-Unterzelle durch eine Silicium-Solarzelle ersetzt wird. Da Silicium im Vergleich zu Germanium deutlich besser verfügbar und kostengünstiger ist, stellt dieses Solarzellenkonzept eine vielversprechende Alternative zu der etablierten Ga&lt;sub&gt;0.50&lt;/sub&gt;In&lt;sub&gt;0.50&lt;/sub&gt;P/Ga&lt;sub&gt;0.99&lt;/sub&gt;In&lt;sub&gt;0.01&lt;/sub&gt;As/Ge-Dreifachsolarzelle dar.&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;Die Herausforderung in der Herstellung von Ga&lt;sub&gt;0.51&lt;/sub&gt;In&lt;sub&gt;0.49&lt;/sub&gt;P/GaAs/Si-Dreifachsolarzellen lag bisher in den unterschiedlichen Gitterkonstanten und thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Si und GaAs. Deshalb entstehen beim direkten Wachstum auf Silicium Kristalldefekte in den GaAs-Mittel- und Ga&lt;sub&gt;0.51&lt;/sub&gt;In&lt;sub&gt;0.49&lt;/sub&gt;P-Oberzellen, welche ihre Effizienzen reduzieren. Um solche Defekte zu verhindern, wird in dieser Arbeit ein neuer Ansatz verfolgt. Zunächst werden Ga&lt;sub&gt;0.51&lt;/sub&gt;In&lt;sub&gt;0.49&lt;/sub&gt;P/GaAs-Zweifachsolarzellen mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) gitterangepasst auf GaAs-Substraten abgeschieden und danach durch direktes Wafer-Bonding bei Temperaturen zwischen 20°C und 120°C mit separat hergestellten Si-Solarzellen verbunden.&lt;br /&gt;Ein Schwerpunkt dieser Dissertation liegt deshalb auf der Entwicklung einer mechanisch stabilen, optisch transparenten und elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen Si und GaAs. Dafür wird das atomstrahlaktivierte Wafer-Bonding-Verfahren verwendet und optimiert. Es können Si/GaAs Wafer-Bonds ohne makroskopische Fehlstellen an der Grenzfläche hergestellt werden, die hohe Bondfestigkeiten besitzen. Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopaufnahmen von Si/GaAs Wafer-Bonds zeigen, dass eine 2 bis 3 nm dicke amorphe Schicht an der Grenzfläche existiert, welche durch die Akkumulation von Atomstrahl-induzierten Kristalldefekten entsteht. Elektrisch aktive Defekte, die während der Atomstrahlbehandlung entstehen, beeinträchtigen außerdem den Ladungsträgertransport über die Si/GaAs Bondgrenzfläche. Dieser Effekt wird anhand eines theoretischen Modells diskutiert und temperaturabhängige Strom-Spannungs-Kennlinien werden genutzt, um die Höhe der Potentialbarriere an der Si/GaAs Grenzfläche zu bestimmen. Durch die Reduktion der Defektdichte an der Grenzfläche und die Verwendung einer höher dotierten n-GaAs Bondschicht können schließlich erstmals Si/GaAs Wafer-Bonds mit linearer Strom-Spannungs-Kennlinie bei Raumtemperatur und einem niedrigen Grenzflächenwiderstand von ca. 3.6×10&lt;sup&gt;-3&lt;/sup&gt; Ωcm² realisiert werden.&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;&lt;br /&gt;Dieser optimierte atomstrahlaktivierte Wafer-Bonding-Prozess wird genutzt, um Ga&lt;sub&gt;0.51&lt;/sub&gt;In&lt;sub&gt;0.49&lt;/sub&gt;P/GaAs/Si-Dreifachsolarzellen herzustellen. Die Mehrfachsolarzellen erzielen bereits Wirkungsgrade von bis zu 25.6% unter einfacher und 30.2% unter 112-facher Sonnenkonzentration.</dcterms:abstract>
    <dcterms:rights rdf:resource="https://rightsstatements.org/page/InC/1.0/"/>
    <dspace:hasBitstream rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/bitstream/123456789/27108/1/Essig_271086.pdf"/>
    <dcterms:alternative>Development of GaInP/GaAs/Si Multi-Junction Solar Cells using Wafer-Bonding</dcterms:alternative>
    <dcterms:title>Entwicklung von GaInP/GaAs/Si-Mehrfachsolarzellen mittels Wafer-Bonding</dcterms:title>
    <dc:creator>Essig, Stephanie</dc:creator>
    <dspace:isPartOfCollection rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/server/rdf/resource/123456789/41"/>
    <dc:contributor>Essig, Stephanie</dc:contributor>
    <bibo:uri rdf:resource="http://kops.uni-konstanz.de/handle/123456789/27108"/>
    <dcterms:isPartOf rdf:resource="https://kops.uni-konstanz.de/server/rdf/resource/123456789/41"/>
  </rdf:Description>
</rdf:RDF>
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xmlui.Submission.submit.DescribeStep.inputForms.label.kops_note_fromSubmitter
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February 14, 2014
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