H-Passivierung von multikristallinem Silizium : Untersuchung der Bindungsenergien von Wasserstoff an Defekten

Karzel, Philipp

H-Passivierung von multikristallinem Silizium : Untersuchung der Bindungsenergien von Wasserstoff an Defekten

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Datum

2008

Open Access-Veröffentlichung

Open Access Green

Sammlungen

Physik

Titel in einer weiteren Sprache

H-Passivation of multicrystalline SiliconAnalysis of Hydrogen bond energies at defect sites

Publikationstyp

Masterarbeit/Diplomarbeit

Publikationsstatus

Published

Zusammenfassung

The diploma thesis "H-Passivation of multicrystalline Silicon - Analysis of Hydrogen bond energies at defect sites" was completed in November 2008 at the Photovoltaic division of the University of Konstanz. It presents a new method analyze the bond energies of hydrogen at defect sites in multicrystalline silicon in a spatially resolved way. The method is based upon out diffusion of hydrogen during exactly controlled temperature steps at increasing given temperatures. After each temperature step the minority charge carrier lifetime of the examined sample is measured spatially resolved by the µ-PCD-method. From these lifetime maps the bond energies of hydrogen can be determined for the whole sample area.
In further experiments we hope to be able to draw conclusions from the defect-typical bond energies concerning the defect distribution. On long term this could be an elegant method to determine distributions of defect types in silicon wafers.

Zusammenfassung in einer weiteren Sprache

Die Diplomarbeit "H-Passivierung von multikristallinem Silizium - Untersuchung der Bindungsenergien von Wasserstoff an Defekten" wurde in der Abteilung Photovoltaik der Universität Konstanz im November 2008 fertiggestellt. Sie stellt ein neues Verfahten zur ortsaufgelösten Darstellung der Bindungsenergien von Wasserstoff an Defekten in multikristallinem Silizium vor. Diesem Verfahren liegt die Ausdiffusion von Wasserstoff in mehren exakt kontrollierten Temperaturschritten mit immer höheren Temperaturen zu Grunde. Nach jedem Temperaturschritt wird die Minoritätsladungsträgerlebensdauer der untersuchten Siliziumprobe ortsaufgelöst mit dem µ-PCD-Verfahren gemessen. Aus diesen Lebensdauermaps lassen sich die Bindungsenergien von Wasserstoff für die gesamte Probe berechnen.
Aus den defekttypischen Bindungsenergien soll in weiterführenden Experimenten auf die Defektarten, an die der Wasserstoff gebunden war, geschlossen werden können. Langfristig könnte man damit eine elegante Methode zur Bestimmung von Defektverteilungen in Siliziumwafern erhalten.

Fachgebiet (DDC)

530 Physik

Schlagwörter

Passivierung, Silizium, Defekte, Lebensdauer, Passivation, Hydrogen, Silicon, Bond energy, Defect

Zitieren

ISO 690

KARZEL, Philipp, 2008. H-Passivierung von multikristallinem Silizium : Untersuchung der Bindungsenergien von Wasserstoff an Defekten [Master thesis]

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