Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-7054
Autor(en): Ambrosy, Anton
Lassmann, Kurt
Goer, Anne M. de
Salce, Bernard
Zeile, Heinrich
Titel: Influence of defects on the splitting of the acceptor ground state in silicon
Erscheinungsdatum: 1984
Dokumentart: Konferenzbeitrag
Erschienen in: Phonon scattering in condensed matter : proceedings of the fourth international conference, Stuttgart, Aug. 22-26, 1983. Berlin : Springer, 1984 (Springer series in solid state sciences 51). - ISBN 3-540-12954-5, S. 361-363
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-47024
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/7071
http://dx.doi.org/10.18419/opus-7054
Zusammenfassung: -
Enthalten in den Sammlungen:15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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