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http://dx.doi.org/10.18419/opus-4893
| Autor(en): | Köpf, Andreas Ambrosy, Anton Lassmann, Kurt |
| Titel: | Linear stark coupling to the ground state of effective mass acceptors |
| Erscheinungsdatum: | 1989 |
| Dokumentart: | Konferenzbeitrag |
| Erschienen in: | Monemar, Bo (Hrsg.): Shallow impurities in semiconductors 1988 : proceedings of the Third International Conference held in Linköping, Sweden, 10 - 12 August 1988. Bristol : Institute of Physics, 1989 (Conference series / Institute of Physics, 95), S. 131-136 |
| URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-47176 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4910 http://dx.doi.org/10.18419/opus-4893 |
| Zusammenfassung: | It is shown by dielectric resonance absorption at 24 GHz and by ultrasonic resonance spectroscopy between 5 and 10 GHz that linear coupling of the electric field to the ground state of effective mass acceptors in Si exists and has a distinct chemical shift from B to In. |
| Enthalten in den Sammlungen: | 08 Fakultät Mathematik und Physik |
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