Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-8191
Autor(en): Berroth, Manfred
Hurm, Volker
Lang, Manfred
Ludwig, Manfred
Nowotny, Ulrich
Wang, Zhigong
Wennekers, Peter
Hülsmann, Axel
Kaufel, Gudrun
Köhler, Klaus
Raynor, Brian
Schneider, Joachim
Titel: 10-20 Gbit/s GaAs/AlGaAs HEMT ICs for high speed data links
Erscheinungsdatum: 1992
Dokumentart: Konferenzbeitrag
Erschienen in: Technical digest 1992 / 14th Annual GaAs IC Symposium : Miami Beach, Florida, October 4-7, 1992. Piscataway, NJ: IEEE Service Center, 1992. - ISBN 0-7803-0773-9, S. 291-294. URL http://dx.doi.org./10.1109/GAAS.1992.247276
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92333
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8208
http://dx.doi.org/10.18419/opus-8191
Zusammenfassung: A set of ICs has been developed for high-speed data links at data rates above 10 Gbit/s. A recessed gate process for double pulse doped quantum well transistors has been used with e-beam written 0.3- μm gates. A 4 bit multiplexer and a laser diode driver for the transmitter as well as a transimpedance amplifier, bit synchronizer, and 4 bit demultiplexer for the receiver have been successfully operated with data rates up to 20 Gbit/s.
Enthalten in den Sammlungen:15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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