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http://dx.doi.org/10.18419/opus-8191
Autor(en): | Berroth, Manfred Hurm, Volker Lang, Manfred Ludwig, Manfred Nowotny, Ulrich Wang, Zhigong Wennekers, Peter Hülsmann, Axel Kaufel, Gudrun Köhler, Klaus Raynor, Brian Schneider, Joachim |
Titel: | 10-20 Gbit/s GaAs/AlGaAs HEMT ICs for high speed data links |
Erscheinungsdatum: | 1992 |
Dokumentart: | Konferenzbeitrag |
Erschienen in: | Technical digest 1992 / 14th Annual GaAs IC Symposium : Miami Beach, Florida, October 4-7, 1992. Piscataway, NJ: IEEE Service Center, 1992. - ISBN 0-7803-0773-9, S. 291-294. URL http://dx.doi.org./10.1109/GAAS.1992.247276 |
URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92333 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8208 http://dx.doi.org/10.18419/opus-8191 |
Zusammenfassung: | A set of ICs has been developed for high-speed data links at data rates above 10 Gbit/s. A recessed gate process for double pulse doped quantum well transistors has been used with e-beam written 0.3- μm gates. A 4 bit multiplexer and a laser diode driver for the transmitter as well as a transimpedance amplifier, bit synchronizer, and 4 bit demultiplexer for the receiver have been successfully operated with data rates up to 20 Gbit/s. |
Enthalten in den Sammlungen: | 15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung |
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