- AutorIn
- Kay Hellig
- Titel
- Untersuchung tiefer Stoerstellen in Zinkselenid
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:ch1-199700176
- Abstract (DE)
- Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem, undotiertem ZnSe wurden tiefe Stoerstellen nachgewiesen.
- Freie Schlagwörter
- Defekte
- Stoerstellen
- tiefe Zentren
- Deep Level Transient Spectroscopy
- ZnSe
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Normschlagwörter (GND)
- DLTS
- Zinkselenid
- Den akademischen Grad verleihende / prüfende Institution
- Technische Universität Chemnitz, Chemnitz
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:ch1-199700176
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 28.03.1997
- Dokumenttyp
- Studienarbeit
- Sprache des Dokumentes
- Deutsch