- AutorIn
- Dipl.-Phys. Felix Jonathan Fromm
- Titel
- Raman-Spektroskopie an epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001)
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-165167
- Datum der Einreichung
- 06.08.2014
- Datum der Verteidigung
- 17.04.2015
- Abstract (DE)
- Die vorliegende Arbeit behandelt die Charakterisierung von epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001) mittels Raman-Spektroskopie. Nach der Einführung theoretischer sowie experimenteller Grundlagen werden das Wachstum von Graphen auf Siliziumkarbid (SiC) behandelt und die untersuchten Materialsysteme vorgestellt. Es wird gezeigt, dass das Raman-Spektrum von epitaktischem Graphen auf SiC (0001) neben den Phononenmoden des Graphens und des Substrats weitere Signale beinhaltet, welche der intrinsischen Grenzflächenschicht, dem Buffer-Layer, zwischen Graphen und SiC zugeordnet werden können. Das Raman-Spektrum dieser Grenzflächenschicht kann als Abbild der phononischen Zustandsdichte interpretiert werden. Fortführend werden verspannungsinduzierte Änderungen der Phononenenergien der G- und 2D-Linie im Raman-Spektrum von Graphen untersucht. Dabei werden starke Variationen des Verspannungszustands beobachtet, welche mit der Topographie der SiC-Oberfläche korreliert werden können und erlauben, Rückschlüsse auf Wachstumsmechanismen zu ziehen. Die Entwicklung einer neuen Messmethode, bei der das Raman-Spektrum von Graphen durch das SiC-Substrat aufgenommen wird, ermöglicht die detektierte Raman-Intensität um über eine Größenordnung zu erhöhen. Damit wird die Raman-spektroskopische Charakterisierung eines Graphen-Feldeffekttransistors mit top gate ermöglicht und ein umfassendes Bild des Einflusses der Ladungsträgerkonzentration und der Verspannung auf die Positionen der G- und 2D-Raman-Linien von quasifreistehendem Graphen auf SiC erarbeitet.
- Freie Schlagwörter (DE)
- Graphen, Raman-Spektroskopie, Siliziumkarbid, epitaktisches Wachstum, Buffer-Layer, Verspannung, Raman-Intensität, Dotierung, Feldeffekttransistor
- Freie Schlagwörter (EN)
- graphene, Raman spectroscopy, silicon carbide, epitaxial growth, buffer layer, strain, Raman intensity, doping, field effect transistor
- Klassifikation (DDC)
- 530
- Normschlagwörter (GND)
- Kohlenstoff, Halbleiter
- GutachterIn
- Prof. Dr. Thomas Seyller
- Prof. Dr. Dr. h.c. Dietrich R.T. Zahn
- BetreuerIn
- Prof. Dr. Thomas Seyller
- Den akademischen Grad verleihende / prüfende Institution
- Technische Universität Chemnitz, Chemnitz
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-165167
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 29.04.2015
- Dokumenttyp
- Dissertation
- Sprache des Dokumentes
- Deutsch