- AutorIn
- Jan N. Klug
- Titel
- Technologie und pysikalische Eigenschaften strahlungsinduzierter Zentren in Silizium
- Zitierfähige Url:
- https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228
- Datum der Einreichung
- 28.07.2011
- Datum der Verteidigung
- 10.01.2012
- Abstract (DE)
- Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in Silizium. Zur Erzeugung der untersuchten Zentren werden Wasserstoff- und Helium-Ionenstrahlen im MeV-Bereich verwendet. Die Untersuchung erfolgt mittels Spreading-Resistance- und temperaturabhängiger Hall-Messungen. Betrachtet wird zunächst die Erzeugung einer n-Dotierung durch Wasserstoff-Implantation in Abhängigkeit von Implantationsparametern, - bedingungen und dem Ausheilprozess. Für Helium-bestrahltes Silizium werden die Auswirkungen der Bestrahlung auf Widerstand, Ladungsträgerkonzentration und Beweglichkeit untersucht.
- Freie Schlagwörter (DE)
- Halbleiter, Silizium, Defekt, Ionenimplantation, Störstelle, Protonen, Helium
- Freie Schlagwörter (EN)
- semiconductor, silicon, defect, ion implantation, center, proton, helium
- Klassifikation (DDC)
- 620
- 621
- 537
- Normschlagwörter (GND)
- Silicium
- Defekt
- Implantation
- Störstelle
- Halbleiter
- GutachterIn
- Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz
- Prof. Dr. rer.nat. Andreas Wieck
- BetreuerIn
- Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz
- Den akademischen Grad verleihende / prüfende Institution
- Technische Universität Chemnitz, Chemnitz
- URN Qucosa
- urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-82228
- Veröffentlichungsdatum Qucosa
- 24.01.2012
- Dokumenttyp
- Dissertation
- Sprache des Dokumentes
- Deutsch