A novel circuit concept is introduced using bitline-capacitance-cancellation, enabling higher memory density under low power and high speed read operation in an embedded Flash module. Future trends in memory technology are addressed by a second new circuit exploiting a time-differential approach developed to provide higher read yield and robustness for STT-MRAM. All newly developed circuits are compared to state-of-the-art approaches by analysis and measurements showing the considerable improvements achieved in speed, power consumption and robustness.     «

A novel circuit concept is introduced using bitline-capacitance-cancellation, enabling higher memory density under low power and high speed read operation in an embedded Flash module. Future trends in memory technology are addressed by a second new circuit exploiting a time-differential approach developed to provide higher read yield and robustness for STT-MRAM. All newly developed circuits are compared to state-of-the-art approaches by analysis and measurements showing the considerable improvem...     »

Eine neue Ausleseschaltung wurde entwickelt, die eine Reduktion der effektiven Bitleitungskapazität bewirkt, und höhere Speicherdichten beim niedrigen Leistungsverbrauch für schnelles Lesen in eingebetteten Flash-Speichern ermöglicht. Ein neues zeit-differentielles Ausleseverfahren ermöglicht eine höhere Leseausbeute und Robustheit in STT-MRAM Speichern. Alle neuen Schaltungen werden anhand von Simulation und Messungen mit dem aktuellen Stand der Technik verglichen, wobei sich deutliche Verbesserungen in Geschwindigkeit, Leistungsverbrauch und Robustheit zeigen.     «

Eine neue Ausleseschaltung wurde entwickelt, die eine Reduktion der effektiven Bitleitungskapazität bewirkt, und höhere Speicherdichten beim niedrigen Leistungsverbrauch für schnelles Lesen in eingebetteten Flash-Speichern ermöglicht. Ein neues zeit-differentielles Ausleseverfahren ermöglicht eine höhere Leseausbeute und Robustheit in STT-MRAM Speichern. Alle neuen Schaltungen werden anhand von Simulation und Messungen mit dem aktuellen Stand der Technik verglichen, wobei sich deutliche Verbesse...     »