Charakterisierung von Nanokristallen in Siliziumkarbid mittels Transmissionselektronenmikroskopie

Diese Arbeit beschäftigt sich mit der transmissionselektronenmikroskopischen Untersuchung von halbleitenden und magnetischen Nanokristallen (Größe ~10 nm) im Halbleiter Siliziumkarbid (SiC). Dabei kommen sowohl experimentelle Methoden wie die konventionelle Transmissionselektronenmikroskopie, die Hochauflösung, Elektronenholographie als auch Spektroskopie zur Anwendung. Andererseits werden Modellrechnungen wie die Molekulardynamik und darauf aufbauend die Hochauflösungsbildsimulation angewendet, um die experimentellen Ergebnisse zu erklären und zu beschreiben. Die zwei Arten von Nanokristallen (halbleitendes GeSi und metallische Nanokristalle) werden ausführlich hinsichtlich Parametern wie Größenverteilung, Kristallographie, Form und Facettierung analysiert. Das experimentell bestimmte Nanokristalleigenschaften können durch die parallel durchgeführten Modellrechnungen von Nanokristallen in SiC verifiziert und erklärt werden. In der Arbeit werden erstmals magnetische Eigenschaften von einzelnen, eingebetteten Nanokristallen durch Einsatz von Elektronenholographie bestimmt.