In dieser Arbeit wird die spontane Musterbildung in der Emission von oberflächen-emittierenden Halbleiterlasern (englisch "Vertical-cavity surface-emitting lasers", kurz VCSEL) untersucht. Dabei handelt es sich um VCSEL mit großer quadratischer (30 30 µm² und 40 40 µm²) und runder (80 µm Durchmesser) Apertur. Diese Laser neigen aufgrund ihrer sehr hohen Fresnelzahl zu der Emission von stark divergenten Transversalmoden, welche sich in Form von Intensitätsmodulationen des Laserstrahls zeigen. Die Ergebnisse der Arbeit umfassen eine quantitative Untersuchung der Abhängigkeit der Musterlängenskalen von den Betriebsparametern, eine Erklärung der Entstehung der Emissionsmuster und deren komplexer Polarisationsverteilung, sowie eine Untersuchung der Kontrolle der Mustereigenschaften durch Rückkopplung.