Einfangprozesse, d.h. Übergänge von delokalisierten in lokalisierte Zustände, sind in vielen modernen Halbleiternanostrukturen von großer Bedeutung. So treten diese Streuungen zum Beispiel zwischen den Zuständen eines Quantendrahts und den Zuständen eines im Quantendraht eingebetteten Quantenpunkts auf und werden in einem polaren Halbleiter wie GaAs auf ultrakurzen Zeitskalen im Niederdichtefall durch die Emission von longitudinal optischen Phononen induziert. Da man den Endzustand einer solchen Streuung nicht a priori angeben kann, ist es erforderlich, eine basisunabhängige Theorie, wie einen quantenkinetischen Zugang, zu wählen. Ferner enthält diese die auf ultrakurzen Zeit- und Nanometerlängenskalen wichtigen Unschärferelationen. Die Einfangprozesse werden im Rahmen des quantenkinetischen Zugangs des Dichtematrixformalismus in Abhängigkeit der Systemparameter, wie Form und Reflektionseigenschaften des Quantenpunktpotentials, Temperatur des Systems, etc. untersucht.