On the Nucleation, Evolution and Overgrowth of InAs/GaAs(001) Quantum Dots
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In the present work, high resolution Scanning Tunneling Microscopy has been used to investigate the morphology of InAs nanostructures grown by Molecular Beam Epitaxy, close to the thermodynamic equilibrium regime. A thorough characterization of the structures at the nanometer scale was performed, with the aim to decode the relation between the observed features, the underlaying growth mechanisms and to certain extent to their dependance on the growth conditions.
Zusammenfassung in einer weiteren Sprache
Die vorliegende Arbeit behandelt die mikroskopischen Mechanismen der Keimbildung, des Wachstums und des Überwachsens von selbstorganisierten Quantenpunkten auf Halbleiteroberflächen. Um die fundamentalen Prozesse der Heteroepitaxie und ihren Einfluss auf die Eigenschaften der Quantenpunkte zu untersuchen wurde die Morphologie von selbstorganisierten InAs/GaAs(001) Quantenpunkten systematisch studiert. Rastertunnelmikroskopie wurde verwendet Quantenpunkten nah am thermodynamischen Gleichgewicht zu untersuchen.
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ISO 690
ACOSTA-DÍAZ, Paola Alejandra, 2008. On the Nucleation, Evolution and Overgrowth of InAs/GaAs(001) Quantum Dots [Dissertation]. Konstanz: University of KonstanzBibTex
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